Datasheet下载- 型号： IPD13N03LA G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD13N03LA G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD13N03LA G价格参考。InfineonIPD13N03LA G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD13N03LA G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD13N03LA G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPD13N03LA G是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效能和高可靠性的场合。 该器件主要应用于以下场景： 1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器等，用于提高能效和减小系统尺寸。 2. 电机控制：包括无刷直流电机（BLDC）控制、电动工具、电动车驱动系统等，IPD13N03LA G具备低导通电阻和高电流能力，适合高频开关应用。 3. 汽车电子：作为车载电源系统、车身控制模块（如车窗、座椅控制）中的关键开关元件，具备良好的热稳定性和可靠性，符合汽车行业标准。 4. 工业自动化：用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器替代、负载开关等工业控制设备中，提升系统响应速度与能效。 5. 消费类电子产品：如智能家电、LED照明驱动等，实现节能与小型化设计。 该MOSFET采用PG-TDSON封装，具备优良的热管理性能，适合表面贴装，适用于自动化生产流程。其低栅极电荷（Qg）和快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD13N03LA_Rev2.2_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a9a6943b4 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD13N03LA G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1043pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.8 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD13N03LAG |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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